伴随年代的推移，内存条的制造技术也在持续的攀升，DDR/DDR2/DDR3内存条朝代也在新老更替，而这个过程并没结束，现有些DDR4和DDR5内存条，也正在不断创造普及条件，假如你不知道怎么样不同DDR1/DDR2/DDR3内存条，可以阅读下文知道DDR、DDR2和DDR3之间有什么区别和分辨办法。
科技在进步，当然内存条的生产技术也在进步，这就致使了DDR1、DDR2、DDR3内存条的产生，各代差别如下：
ddr 1，2，3代内存的外观不同
DDR1：
一个缺口、单面92针脚、双面184针脚、左52右40、内存颗粒长方形。
DDR2：
一个缺口、单面120针脚、双面240针脚、左64右56、内存颗粒正方形、电压1.8V。
DDR3：
一个缺口、单面120针脚、双面240针脚、左72右48、内存颗粒正方形、电压1.5V。
其工作电压一直在减少，因此在性能提高的同时，功耗也在渐渐变小。
至于说到主板上的插槽，三者都不同，在内存接口上有一个小缺口，DDR DDR2 DDR3内存的每种内存的接口都不会同一地方，因此只能插在购买时得先看好主板上插槽支持那种内存再进行购买内存。而且这三种内存条是不可以兼容。
DDR DDR2 DDR3在内存容量上有什么区别
目前家用电脑哪个不是2G的？8G以上的都不少见吧？一些游戏玩家最低需要都是4G吧？假如这事放在零几年那时哪个信？
DDR1最小的内存只有64M最大的也只有1G的容量，2代的DDR 最少的是256M最大的都已经是4M了。当然DDR2 4G用的人少一般容易见到的都是1Gx2如此用的。而DDR3目前最小的都是512M最大的都已经是8G了。通常都是4Gx2如此用。或者2Gx2如此用。
DDR DDR2 DDR3在封装不同
早期的DDR封闭颗粒是TSOP，而从DDR2和DDR3开始用FBGA封装，而DDR2用的是8bit芯片用60球/68球/84球FBGA封装三种规格，而DDR3使用的是16bit芯片用96球FBGA封装，而且DDR3需要是绿色封装，不可以包括任何有害的物质。
参考电压分成两个在DDR3系统中，对于内存系统工作尤为重要的参考电压信号VREF将分为两个信号，即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ，这或有效地提升系统数据总线的信噪等级。
DDR DDR2 DDR3在突发长度（BurstLength，BL）
因为DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（BurstLength，BL）也固定为8，平而DDR的传输周期是2，而DDR2是4。
DDR DDR2 DDR3在逻辑Bank数目上有什么区别
DDR中有2个Bank和4个Bank。DDR2有4个Bank和8个Bank。而到DDR3的时候已经是8个Bank和16个Bank了。现在就是应付将来大容量芯片的需要，而DDR3非常可能将从2G起步，因此逻辑Bank就是8个，另外还为将来的16逻辑Bank做好了筹备。
DDR DDR2 DDR3的寻址时序不同（Timing）
延迟周期数从DDR一代到二代再到三代内存一加一直在增加，三代内存的CL周期也将比二代内存有相应的提升。二代内存的CL范围一般在2到5之间，而二代内存已经增加到5到11之间，并且三代内存延迟（AL）的设计也有所变化。二代内存时AL的范围是0到4，而三代内存时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，三代内存还新增加了一个时序参数-写入延迟。
相对于DDR DDR2，DDR3新增的功能
DDR新增加重置功能， 新增加的重置是DDR3一项要紧功能，并且为此功能还专门筹备了一个引脚。这一引脚将使DDR3的初始化处置变得简单。当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有操作，并切换至最少量活动状况，以节省电力。
DDR3新增ZQ校准功能，ZQ也是一个新增的脚，在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集，通过片上校准引擎（On-DieCalibrationEngine，ODCE）来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令后，将用相应的时钟周期（在加电与初始化之后用512个时钟周期，在退源于刷新操作后用256个时钟周期、在其他状况下用64个时钟周期）对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。
以上便是关于DDR、DDR2和DDR3之间有什么区别和分辨办法，当然用户如果是没实质测量工具，可以用第三方软件进行测试，但测试信息并不是绝对正确的。